محققان دانشگاه تهران عملکرد ترانزیستورهای نسل آینده را بهبود دادند
به گزارش شمال صنعت، محققان دانشگاه تهران، راهکاری برای افزایش راندمان انرژی و بهبود عملکرد ادوات الکترونیکی عرضه کردند.
به گزارش شمال صنعت به نقل از دانشگاه تهران، محققان دانشگاه تهران در پژوهشی تازه، قابلیت های ماده دوبعدی WSi₂N₄ را در ساخت ترانزیستورهای نسل جدید مورد بررسی قرار دادند و نشان دادند این ماده می تواند نقش مؤثری در توسعه ادوات الکترونیکی کم مصرف و پرسرعت ایفا کند.
در این مطالعه، عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET) مبتنی بر تک لایه WSi₂N₄ با استفاده از شبیه سازی های پیشرفته مقایسه شد. نتایج نشان داد ترانزیستورهای NTFET از نظر بهره وری انرژی عملکرد بسیار مطلوبی دارند؛ به شکلی که شیب زیرآستانه آنها به ۱۸.۵ میلی ولت بر دهه کم شده که منجربه کاهش توان مصرفی خواهد شد. همینطور ترانزیستورهای NFET بیشترین جریان روشن یعنی ۴۹۴ میکرو آمپر بر میکرومتر و تأخیر زمانی بسیار پایین را ثبت کردند که مبین عملکرد مطلوب آنها در کاربردهای الکترونیکی آینده است.
این موفقیت می تواند مسیر توسعه نسل جدید مدارهای الکترونیکی با مصرف انرژی کمتر، سرعت بالاتر و بازده بیشتر را هموار کرده و در طراحی تجهیزات الکترونیکی پیشرفته و فناوری های کم مصرف مورد استفاده قرار گیرد.
این پژوهش توسط حمیدرضا قنبری خرّم دانش آموخته دانشگاه تهران، صمد شیخایی عضو هیات علمی دانشکده برق و کامپیوتر دانشکدگان فنی دانشگاه تهران، شعیب بابایی توسکی و علیرضا کوکبی از اعضای هیأت علمی دانشگاه صنعتی همدان انجام شده و نتایج آن در مجله
Journal of Physics and Chemistry of Solids
انتشار یافته است.
منبع: شمال صنعت
این مطلب را می پسندید؟
(1)
(0)
تازه ترین مطالب مرتبط
نظرات بینندگان در مورد این مطلب